——1970-2017输赢千亿美元的生死搏杀【3】

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　　1945年8月15日，日本东京皇宫外，东京电台正在广播：昭和天皇裕仁，宣读日本无条件投降诏书。很多日本老百姓跪在地上痛哭不止。这一天有600名日本军官自杀，逃避战败投降命运。东京城区已经在美国军队，长达半年的轰炸中化为废墟。共同社照片

　　1945年二战结束后，日本作为战败国，经济受到严重打击;但是日本最核心的资产，工程师队伍得以保存下来。这批原本研制大和级战列舰、樱花自杀飞机的日本工程师，转向民用造船、家用电器、钢铁、汽车、摩托车、电子、石化领域，加速了日本战后经济重建。

　　1948年中国国民党兵败如山倒后，美国便明确将日本，作为在亚洲对抗苏联的桥头堡。1950年开始，中美两国在朝鲜战场血战三年。美国巨额军需采购订单，使日本经济爬出了二战战败的泥潭。而美国为了拉拢日本对抗苏联，向日本转移了数百项先进技术。如黑白、彩色显像管电视机、晶体管收音机、录音机、计算器、电冰箱、洗衣机，在当时都是顶尖的民用消费品。日立、三菱、东芝、NEC、松下、三洋、富士通、索尼、夏普、冲电气(OKI)等日本企业，在此阶段廉价获得了大批美国专利技术，由此奠定了战后日本电子产业发展根基。

　　此时，美国人绝对想不到，日本电子产业，会壮大到反噬美国的那一天。

　　1958年，日本北辰电气(Hokushin Electric)为NEC NEAC-2201晶体管计算机，研制的MD-2A磁鼓存储器，容量64K，每分钟转速可达到10000转。北辰电气后来被横河电机并购，消失在历史长河中。

　　日本电子产业发育期——从美国购买核心技术

　　自明治维新以来，日本经济的一大特征，是在政府主导下进行产业技术升级。1948年，日本内阁在通商产业省(简称通产省)下面，设立了工业技术厅，1952年更名为工业技术院，经费完全由财政拨付，负责推动日本整体产业技术发展。1953年日本东京通信工业公司(SONY前身)副社长盛田昭夫，耗资900万日元(2.5万美元)，从美国西屋电气引进晶体管技术，生产晶体管收音机。1956年SONY袖珍收音机上市后一炮而红，索尼迅速崛起。受此影响，日立、三菱、NEC、OKI、东芝、三洋等公司，相继花钱从美国RCA和西屋电气，购买了晶体管专利授权。随着规模化生产，日本晶体管价格明显下降。1953年索尼试制的晶体管一颗为4000日元(11美元)，到1958年降为200日元(0.56美元)。1959年日本晶体管产量达到8650万颗，产值约160亿日元(4445万美元)。

　　当时日本与美国相比，技术上存在差距，唯一的优势是人工便宜。东京电子厂的日本工人，月薪还不到30美元。而美国工人月薪是380美元。在计算机方面，1956年，通产省工业技术院电气试验所，由高桥茂等人负责，研制出日本第一台晶体管计算机ETL MARK III，比美国晚两年。随后东京大学开发出PC-2电脑。1957年，通产省颁布执行电子工业振兴临时措置法(电振法57-71年)，限制外资进入日本，以保护本国市场，引导日本企业发展半导体电子产业。1958年4月，日本各大电子厂商合作，组建了日本电子工业振兴协会(JEIDA)，集体对计算机攻关。

　　1958年9月，在通产省工业技术院电气试验所的技术援助下，日本NEC公司推出NEAC-2201晶体管计算机。这是日本第一台完全国产化的计算机。采用北辰电气(Hokushin Electric)研制的磁鼓存储器，容量64K。日本为炫耀这一成果，将其运到巴黎公开展出。

　　1960年，日本通产省工业技术院电气试验所，研制成功日本第一块晶体管集成电路。这是参与研制的骨干成员，左起，传田精一(研究员，東北大学工学博士)、垂井康夫(半导体部晶体管研究室主任)、井上ルミ子、鳴神長昭。

　　日本官产学体系——集中全力进攻战略产业

　　1959年2月，美国德州仪器发布集成电路。1960年2月，美国西屋电气(Westinghouse)公开宣称：半导体是未来主流技术。太平洋对岸的成果，对日本产生强烈刺激。1960年起，日本形成“官产学”体系，即政府、企业、大学联合对集成电路技术发起进攻。1960年12月，通产省电气试验所，研制成功日本第一块晶体管集成电路。研究成员有传田精一、垂井康夫等人。1961年4月8日，日本东京大学工学部的柳井久义、菅野卓雄、多田邦雄、柳川隆之四名教授，发布了他们与NEC公司合作，在晶体管集成电路上进行的基础研究。

　　1962年，日本NEC为了解决晶体管集成电路的制造问题，支付技术授权费，从美国仙童公司，买来晶体管平面光刻生产工艺。解决生产问题后，日本NEC的集成电路产量暴增。1961年只有50块，1962年增长至1.18万块，1965年达到5万块。在此期间，NEC研制了多个型号的晶体管集成电路计算机，如NEAC-1200系列，NEAC-2200系列。日立公司与美国RCA合作，由日立半导体事业部的大野稔等人，研制出MOS型晶体管。1966年，日立发布了第一代MOS集成电路HD700，用于计算器，采用15微米生产工艺。夏普、三菱也纷纷将集成电路新技术，用于各自的计算器产品，使日本的集成电路迅速形成产业基础。到1970年，日本NEC的集成电路产量，已经达到3998万块。

　　作为对比：早在1956年起，中国科学院就开始组织黄昆博士、谢希德博士、林兰英博士、王守武博士等人，研究平面光刻工艺。1963年中国科学院计算机研究所，研制出第一台国产晶体管大型计算机——109机，用于核武器工程。1964年开发出晶体管集成电路。以中国科学院和电子工业部为主，中国形成了由军事工业为牵引的庞大电子科研体系，下属各类电子企业单位超过2500家，全面领先韩国和台湾，但是在市场化程度上不如日本，当时中国民用消费市场仅限于收音机和电视机。

　　1968年4月，美国德州仪器董事长P.E.Haggerty，与日本索尼社长井深大签署协议，各占股50%，在日本设立子公司。后排左面站着盛田昭夫副社长。

　　以市场换技术——想占领日本市场？别做梦了

　　1960年代，为保护日本幼稚的电子工业，日本政府坚决实行贸易保护主义，只允许进口极少数的电子元器件，限制200日元以下的中低端IC元件进口。采用提高进口关税、发放进口许可证等方式，限制美国企业冲击日本市场。最典型的例子是德州仪器。1964年，美国德州仪器看到日本电子工业增速迅猛，便想在日本设立100%独资子公司，但是日本通产省死活不同意。一直交涉了长达四年之后，日本政府终于松口了，却提出了极为严苛的条件——拿核心技术来换。看起来似乎与改革开放后，中国采用的“以市场换技术”买办政策差不多，但里面的窍门差别就大了。

　　1966年，美国德州仪器为打开日本市场，以自己拥有的IC制程核心专利，来引诱日本。日本通产省为了拿到技术，同时保护日本市场，可谓绞尽脑汁。1968年4月，由日本索尼社长井深大出面，与德州仪器董事长哈格蒂(P.E.Haggerty)签署协议，双方各占股50%，设立合资公司。条件是：在三年内，德州仪器必须向日本公开相关技术专利。并且德州仪器的产品，在日本市场占有率，不得超过10%。有了如此严苛的限制，日本政府将本国市场牢牢掌握在自己手里，不怕美国企业不交出核心技术。其后韩国政府也学会了这招，用来对付日本和美国企业。

　　伟大革命家列宁说过：资本家为了利益，可以出卖绞死自己的绳子。日本产业界正是抓住了核心利益，使自身迅速发展壮大。这与改开后，中国采用“以市场换技术”政策，导致全国电子产业彻底崩溃;中国市场全面被日本、美国、韩国、台湾合资厂商联合占领，形成了鲜明对比。改开三十年来，中国电子产业市场损失，至少超过1万亿美元。谁该承担这一历史罪责?

　　1964年，美国IBM公司推出的System-360计算机，具有划时代意义，使计算机在社会运行中，日益占据核心地位。

　　IBM大型计算机——日本企业望尘莫及

　　在1960年代，尽管美国和日本都开始了集成电路产业化进程，但美国的实力远非日本可比。1964年4月7日，美国IBM公司推出其第一款小规模集成电路计算机System-360，运算速度过百万次大关。该机是IBM历史上的一次惊天豪赌，耗资52.5亿美元(约合4285吨黄金，现值1812亿美元，足够建7艘核动力航空母舰)。IBM公司招募6万余名新员工，新建5座工厂，攻克了指令集可兼容操作系统、数据库、集成电路等软硬件难关，获得超过300项专利。该机每台售价250-300万美元，到1966年已售出8000多台，使IBM年营收突破40亿美元，纯利润10亿美元。迅速占领了美国大型计算机市场98%、欧洲78%，日本43%的市场份额。IBM成为世界电子产业难以撼动的蓝色巨人。

　　年营收40亿美元是什么概念呢?1961年美国建成世界第一艘核动力航空母舰，不过花费4.5亿美元。1966年中国外汇储备为2.11亿美元。中国动员全国力量研制原子弹、氢弹、导弹、卫星，也不过花费20亿美元左右。由此可见当年IBM如同巨人压顶一般，让其他企业喘不过气来，逼死了大批竞争对手。

　　美国公司取得的巨大成功，对日本产生强烈震撼。1966年，由日本通产省主导，进行“超高性能大型计算机”开发计划。目标是在五年内投资120亿日元(0.34亿美元)，追赶美国IBM大型计算机。由通产省电气试验所牵头，日立、东芝、NEC、富士通、三菱、冲电气(OKI)等企业组成团队，对日立研制的HITAC 8000系列大型计算机进行升级改造。HITAC 8000其实技术源自，美国RCA与日立合作研制的Spectra-70大型机。从集成电路、CPU、接口、软件，全都是仿制美国货。只投入这么点钱，就想追赶IBM，注定了该计划要失败。

　　有句话叫丢西瓜捡芝麻，尽管大型计算机计划失败了，但是参与该项目的日本NEC公司，却成为日本第一家研制出DRAM内存的企业。在1966年的时候，HITAC 8000要求配备512K容量的高速内存，这是个极高的技术指标。NEC于是对NMOS工艺进行研究，1968年公开了使用NMOS工艺生产的144bit SRAM静态随机存储器，研制者有NEC半导体部门的大内淳義等人。这是个非常了不起的成果。两年后，美国英特尔才推出同类产品。1970年英特尔研制出C1103 1K DRAM内存后，日本NEC在第二年就推出了采用NMOS工艺的1K DRAM内存(型号μPD403)。使得NEC成为日本内存行业的龙头企业。

　　1962年，日本富士通研制的FACOM 602磁带机，将记录密度提高到333bpi，用于FACOM 241D计算机。

　　逼迫日本开放市场——日本企业的产业反击战

　　从1965年至1970年，美国集成电路市场的需求急剧增加，年增长率超过16%，日本政府和企业界，看到了这一商机，但是在产业技术上，与美国存在巨大差距。不过日本有个优势——大批日本人在美国工作。像江崎玲於奈之类的电子专家，长期在美国顶尖的IBM实验室工作，可以轻松获得大量经济情报，提供给日本产业界。

　　1972年，美国IBM公司“FS(Future System)计划”的部分内容曝光。IBM计划投入巨资，在1980年前开发出1M DRAM内存芯片，应用到下一代电脑。当时，美国最先进的DRAM内存不过4K大小。这让尚停留在1K DRAM技术层次的日本企业产生强烈危机感。于是由日本电子工业振兴协会不断运作，1975年以通产省为中心的“下世代电子计算机用超LSI研究开发计画”构想，开始商量如何应对IBM的FS计划。1975年7月，通产省设立了官民共同参与的“超LSI研究开发政策委员会”。当时尽管日本各大厂商竞争激烈，但是在共同抵抗IBM巨人方面却是一致的。(超LSI就是超大规模集成电路的意思)

　　1974年，日本在美国要求开放市场的政治压力下，被迫放宽计算机和电子元件进口限制。仅仅只用一年时间，美国IBM电脑，就如热刀切黄油一般，横扫日本各大计算机企业。碍于技术差距，日本产业界放弃了在电脑整机上与IBM正面拼杀，而是选择DRAM存储器产品，作为产业突破口。因为日本软件能力差，而CPU等部件与软件关联性高，日本啃不下来。DRAM内存芯片，与软件关联度弱，却有很高的毛利率。只要在生产工艺、成品率、产能方面下功夫，日本就有机会成功。

　　最先行动起来的，是国营的日本电信电话株式会社(NTT)，从1975年至1981年，NTT投资400亿日元(1.6亿美元)，进行超大规模集成电路研究。终于在1980年研制出256K DRAM。NTT的大量采购，使日本的256K DRAM迅速形成产能优势。在NTT之外，日本产业界还在同时进行第二项技术攻关计划。

　　1977年5月5日，日本VLSI技术研究所，宣布研制成功可变尺寸矩形电子束扫描装置。

　　举国体制——筹集720亿日元研制DRAM核心设备

　　在1970年代，日本尽管可以生产DRAM内存芯片，但是最关键的制程设备和生产原料要从美国进口。为了补足短板，1976年3月，经通产省、自民党、大藏省多次协商，日本政府启动了"DRAM制法革新"国家项目。由日本政府出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大企业联合筹资400亿日元。总计投入720亿日元(2.36亿美元)为基金，由日本电子综合研究所，和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构——“VLSI技术研究所”(超LSI技術研究組合)。研究所地址就选在，位于川崎市高津区的NEC中央研究所内。日立公司社长吉山博吉担任理事长，根橋正人负责业务领导，垂井康夫担任研究所长，组织800多名技术精英，共同研制国产高性能DRAM制程设备。目标是近期突破64K DRAM和256K DRAM的实用化，远期在10-20年内，实现1M DRAM的实用化。(VLSI是超大规模集成电路的简称)

　　在这个技术攻关体系中，日立公司(第一研究室)，负责电子束扫描装置与微缩投影紫外线曝光装置，右高正俊任室长。富士通公司(第二研究室)研制可变尺寸矩形电子束扫描装置，中村正任室长。东芝(第三研究室)负责EB扫描装置与制版复印装置，武石喜幸任室长。电气综合研究所(第四研究室)对硅晶体材料进行研究，饭塚隆任室长。三菱电机(第五研究室)开发制程技术与投影曝光装置，奥泰二任室长。NEC公司(第六研究室)进行产品封装设计、测试、评估研究，川路昭任室长。

　　在产业化方面，日本政府为半导体企业，提供了高达16亿美元的巨额资金，包括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策，帮助日本企业打造DRAM集成电路产业群。到1978年，日本富士通公司，研制成功64K DRAM大规模集成电路。美国IBM、莫斯泰克、德州仪器也在同时发布了产品。这一年，由于日本64K动态随机存储器(DRAM)开始打入国际市场，集成电路的出口迅速增加。

　　1980年，日本VLSI联合研发体，宣告完成为期四年的“VLSI”项目。期间申请的实用新型专利和商业专利，达到1210件和347件。研发的主要成果包括各型电子束曝光装置，采用紫外线、X射线、电子束的各型制版复印装置、干式蚀刻装置等，取得了引人注目的成果。针对难度大的高风险研究课题，VLSI项目采用多个实验室群起围攻的方式，调动各单位进行良性竞争，保证研发成功率。各企业的技术整合，保证了DRAM量产成功率，奠定了日本在DRAM市场的霸主地位。

　　1970年代，日本松下电器京都府长冈工场，整齐排列的100台自动焊线机，只需要10个人操作。该厂从1968年开始半导体生产。1970年代美国向马来西亚、韩国、台湾转移电子制造业，以降低人力成本。日本则采用大规模自动化生产的方式来降低成本。日本报纸震惊地写道：半导体工厂的人都消失了。

　　获得丰厚回报——日本跃居世界第一大DRAM生产国

　　1977年，全球的个人电脑出货量总计大约4.8万台。到1978年已经暴增至20万台，市场规模大约5亿美元。其中美国Radio Shack公司(电器连锁零售店)出售的Tandy TRS-80电脑销量约10万台，均价600美元，销售额6000美元，采用盖茨新开发的操作系统，CPU则是从英特尔辞职的前首席设计师费金，研制的Zilog—Z80。苹果公司的Apple II销量达到2万台，平均单价1500美元，属于高端货，年销售额约3000万美元。个人电脑市场的高速增长，对内存产生了大量需求。这给日本DRAM厂商带来了出口机会。

　　做出口贸易的都知道，出口货不但价钱便宜，质量还要好。而在当时，美国人一般认为日本货质量低劣，远远比不上美国货。但是实际的结果令人大跌眼镜。1980年，美国惠普公司公布DRAM内存采购情况。对竞标的3家日本公司和3家美国公司的16K DRAM芯片，质量检验结果显示：美国最好DRAM公司的芯片不合格率，比日本最差DRAM公司的芯片不合格率，高出整整6倍。虽然惠普碍于情面，没有点出这些公司的名字。但人们很快知道了，三家美国公司是英特尔、德州仪器和莫斯泰克，三家日本公司是NEC、日立和富士通。日立公司为了拿到订单，甚至在给销售部门的指示上明确要求，要比美国公司的价格低10%。

　　质量好，价格低，量又足，日本DRAM内存在美国迅速崛起。1982年，日本成为全球最大的DRAM生产国。这一年3月，日本NEC的九州工厂，DRAM月产量为1000万块(约1万片晶圆)。到了10月，月产量暴增至1900万块。其产量之大，成品率之高(良率超过80%)，质量之好，使得美国企业望尘莫及。与产量相伴的是，原来价格虚高的DRAM内存模块，价格暴降了90%。一颗两年前还卖100美元的64K DRAM存储芯片，现在只要5美元就能买到了，日本厂商还能赚钱。美国企业由于芯片成品率低，根本无法与日本竞争，因此陷入困境。

　　1982年，美国50家半导体企业秘密结成技术共享联盟，避免资金人力重复投资。可是这些合作项目刚刚启动，就传来了坏消息。美国刚刚研制出256K DRAM内存，而日本富士通、日立的256K DRAM已经批量上市。1983年间，销售256K内存的公司中，除了富士通、日立、三菱、NEC、东芝之外，只有一家摩托罗拉是美国公司。光是NEC九州工厂的256K DRAM月产量，就高达300万块。日本厂商开出的海量产能，导致这一年DRAM价格暴跌了70%。内存价格暴跌，使得正在跟进投资更新技术设备的美国企业，普遍陷入巨额亏损状态。难以承受亏损的美国企业，纷纷退出DRAM市场，又进一步加强了日本厂商的优势地位。

　　1978年3月15日，日本朝日新闻，报道垂井康夫担任所长的VLSI技术研究所，研制成功电子束扫描装置。

　　低成本优势——美国厂商节节败退

　　1984年，日本DRAM产业进入技术爆发期。通产省电子所研制成功1M DRAM，三菱甚至公开展出4M DRAM的关键技术。日立生产的DRAM内存，已经开始采用1.5微米生产工艺。东芝电气综合研究所，则投资200亿日元，建造超净工作间。在这种超净厂房内，每一立方米的净化空气中，直径0.1微米的颗粒，不能超过350个。只有在这种条件下才能制备1M、4M容量的DRAM存储器。与此同时，东芝研制出直径8英寸(200mm)级的，世界最大直径硅晶圆棒。到1986年，光是东芝一家，每月1M DRAM的产量就超过100万块。

　　日本企业大量投资形成的产业优势，导致日本半导体对美国出口额，从1979年的4400万美元，暴增至1984年的23亿美元。五年间暴增52倍!而同时期，美国对日本出口的半导体，仅仅只增长了2倍。美国公司失去产品竞争力的后果，便是越想追赶越要投资，越投资亏损越大，陷入恶性循环。

　　以英特尔为例，本来到1978年前后，英特尔在莫斯泰克的猛攻下，已经成为美国DRAM市场的后进角色，美国市场占有率低于20%。但是随着1980年后，日本DRAM产品大量出口美国，英特尔的日子就过不去下了。虽然DRAM产品只占英特尔销售额的20%，但是为了保住这块核心业务，公司80%的研发费用投向了DRAM存储器，明显是本末倒置。等到英特尔好不容易开发出新DRAM产品，此时日本厂商已经在低价倾销成品，导致英特尔无利可图，连研发费用都赚不回来。1984年至1985年间，陷入巨额亏损的英特尔，被迫裁员7200人，仍不能扭转困局。1985年10月，英特尔向外界宣布退出DRAM市场，关闭生产DRAM的七座工厂。

　　1985年，全球半导体产业转入萧条，半导体价格大幅度下跌。64K DRAM由1984年的3美元，下降到1985年中旬的0.75美元。同期，256K DRAM由31美元下降到3美元。价格暴跌使美国英特尔、国家半导体等厂商撤出了DRAM市场。然而，就在同一年，日本NEC的集成电路销售额，排名世界第一，企业营业额是二战前的三百多倍，一举超越长期是行业龙头的美国德州仪器公司。凭借VLSI项目的成功，日本企业一举占据了64K、128K、256K和1M DRAM市场90%的份额。

　　1991年6月，日本驻美大使村田良平，与布什政府的美国贸易代表卡拉·安德森·希尔斯，在华盛顿签署新的五年期《日美半导体协议》。美国希望在1992年底前，能够在日本半导体市场占据20%的份额。这个协议让美国企业喘口气，韩国半导体产业则异军突起。到1995年底，外国半导体在日本市场占有率超过了30%。希尔斯这个女人非常厉害，中国的很多对美贸易谈判，都是以她为对手。

　　日本廉价芯片攻势——美国挥出反倾销大棒

　　对此，美国企业认定是日本人倾销导致了价格暴跌。1985年6月，美国英特尔、AMD等半导体公司联合起来，相继指控日本不公正贸易行为。鼓动美国半导体工业协会向政府游说，向国会递交一份正式的301条款文本，要求美国政府制止日本公司的倾销行为。1985年10月，美国商务部制定了一项法案，指控日本公司倾销256K DRAM和1M DRAM。

　　随后，美国商务部与日本通产省，就301条款和反倾销诉讼进行谈判。1986年9月，日本通产省与美国商务部，签署第一次《美日半导体协议》。根据这项协议，美国暂时停止对日本企业的反倾销诉讼。但作为交换条件，要求日本政府促进日本企业，购买美国生产的半导体，加强政府对价格的监督机制以防止倾销。并且美国半导体产品，在日本市场占有率，可以放宽到20%。日美半导体协议的签署，在日美贸易摩擦史上，具有重要意义。标志着美苏冷战后期，美国从全力扶植日本经济，转向全面打压日本经济。

　　美国的制裁并没能立刻遏制日本的技术优势。1986年，日本NEC开发出世界第一块4M DRAM。日本NTT则在次年展出了16M DRAM样品。到1988年，全球20大半导体厂商中，日本占据了11家，美国只有5家。而且日本企业包揽了前三名。日本NEC以45.43亿美元的营收总额排名世界第一，东芝以43.95亿美元排名第二，日立以35亿美元排名第三，美国摩托罗拉以30亿美元排名第四，德州仪器以27.4亿美元排名第五。富士通以26亿美元排名第六，英特尔以23.5亿美元排名第七。荷兰飞利浦以17.38亿美元排名第10。唯一上榜的韩国三星，以9亿美元排名第18位。第20名德国西门子，只有7.84亿美元。这一年，日本已经超越美国，成为世界第一大半导体生产国。

　　盛极而衰是自然规律，商业领域也是这样。1989年日本泡沫经济破灭，经济进入停滞阶段。进入1990年代，随着苏联解体，美国收割冷战红利。在美国刻意遏制下，日本的国际竞争力迅速衰退，其半导体的全球份额迅速滑落至50%，2000年后更是下降到20%左右。如此溃于一旦的急速坠落，让世界震惊并疑惑，究竟发生了什么。

　　日本厂商悬崖式坠落——放弃投资就会死

　　美国、日本厂商的崛起——坠落循环，其实道理很简单，关键在投资。1973年世界石油危机后，欧美经济停滞，美国逐渐减少在半导体领域的投资。此时美国对日本还有5年左右的技术优势。然而就是这个时期，日本通过1976年VLSI计划的巨量投资，帮助日本企业在技术上赶超美国。日本政府的财税资金补贴，帮助日本企业建立了产能优势。1978年个人电脑市场爆发后，日本企业享受到产业投资带来的巨额利润。而美国企业由于前期放弃投资，就此丧失竞争力。此时产业投资竞争门槛，已经从70年代的几亿美元量级，急速暴增至80年代的几十亿美元量级。美国产业界失去投资-盈利循环的机会后，已经再也没有能力追加几十亿美元巨额投资，来与日本较量了。

　　日本企业的急速坠落也是这个道理。1985年，日本厂商通过开出的海量产能，用暴跌的产品价格，挤垮了美国同行。但是产业不景气的后果，是日本厂商也失去了盈利能力。盈利减少后，日本企业纷纷减少对半导体的技术设备投资。仅在1985年，由于市场不景气，日本企业砍掉了近40%的设备更新投资，最终的投资额为4780亿日元(19.9亿美元)。1986年市场仍未回暖。1987年需求虽有恢复，但日本各厂商对投资持保守态度，该年度投资额仅有2650亿日元(18.4亿日元)，只占营业收入的15.3%。

　　1988年市场开始普及1M DRAM内存，但因上一次半导体不景气的殷鉴犹在，日本厂商对设备投资仍然谨慎保守。加上日元迅速升值，日本房地产泡沫蓬勃兴起，大量厂商将资金转投房地产行业。日本产品的价格竞争力急剧衰退。而韩国三星、现代、LG等厂商在此阶段疯狂投资，迅速赶超日本。到1992年，韩国三星就将日本NEC挤下了DRAM产业世界第一宝座。

　　(中国电子产业在1980年代彻底崩溃，恰恰也验证了“放弃投资就会死“的市场规律。)

　　2004年，尔必达在广岛建成12英寸DRAM晶圆厂。建设一座8英寸晶圆厂需要投资10-15亿美元，建设一座12英寸晶圆厂，暴增至20-30亿美元。超高规模的投资，使得DRAM产业如同在刀锋上舞蹈，稍有不慎即全军覆灭。尔必达也在沉重的债务下，最终轰然倒地。

　　日本尔必达——三家联手终究覆灭

　　1992年西班牙举办巴塞罗那奥运会。原本市场预期会转暖，结果4M DRAM并未如预期般畅销，日本各厂被迫采取减产来阻止市场价格滑落。这就加速了韩国厂商崛起，韩国三星取代了日本厂商的龙头地位。更令日本人懊恼的是，曾经被日本人逼到差点破产的美国英特尔，与微软联手组建WINTEL同盟，依靠CPU产品大获成功。1996年，英特尔以177.78亿美元的巨额营收，打败日本NEC(104亿美元)，重新夺回半导体世界第一大厂宝座。

　　1995年微软即将发布Windows 95操作系统，引发市场大热。日本DRAM厂商又大肆扩充产能，企图重新夺回产业优势。但是韩国厂商也在此时疯狂扩充产能。最终导致的结果是，1996年DRAM价格狂跌70%。1997年亚洲金融危机，更是加重了市场衰退。因此从1996年至1998年，DRAM产业连续三年衰退，全球厂商均出现严重亏损。此时，世界DRAM内存市场已经扩充到400亿美元左右的市场规模。新建一座8英寸DRAM晶圆厂，动辄需要投资10-15亿美元，而且亏损风险极大。日本厂商在连年亏损下，已经丧失了追加投资的勇气。

　　1999年，日本富士通宣布退出DRAM市场，不玩了。曾经无比强大的NEC、日立、三菱，将三家的DRAM部门合并，成立尔必达(Elpida)。这家重新组建的DRAM企业，希望通过联合经营来降低成本，对抗韩国三星。东芝也在2001年退出了DRAM市场。

　　日本组建尔必达，是为了保护日本DRAM产业，避免被韩国企业各个击破。可是从成立之初，尔必达就是烫手山芋，被估算每天一开门就要净亏损2亿日元。2002年坂本幸雄出任尔必达CEO，开始拯救计划。他从美国英特尔拉来订单，并筹集资金建设广岛12英寸晶圆厂。让尔必达的全球市占率开始逐渐攀升。从2002年到2007年获利成长3倍。尔必达全盛时期，整合日系厂商的研发能力，产量排名世界第三，仅次于三星与海士力。不过先前大举扩张时已经埋下祸根。2007年全球金融危机后，DRAM价格暴跌，尔必达陷入严重亏损。2009年向日本政府申请了1300亿日元援助贷款。2011年泰国洪灾后DRAM市场低迷。日元更是出现史无前例的升值，同时韩元兑日元贬值70%。这让尔必达完全无法招架，销售额迅速下滑。2012年2月27日，尔必达向东京地方法院申请破产保护，当时公司负债总额已高达4480亿日元(89.6亿美元)，是日本史上最大的破产案件。2012年7月，美国镁光以区区25亿美元低价收购尔必达。仅仅两年之后，镁光市值从60亿美元暴增至360亿美元，成为尔必达破产的最大受益者。

　　日本企业的退出，进一步扩大了韩国企业的竞争优势。韩国企业似乎能够笑傲江湖了。

　　可是在笑容背后，又有谁知道韩国人的悲惨命运?

　　2016年5月，日本三重县四日市，日本东芝与美国闪迪(SanDisk)，合资建设的12英寸晶圆厂(New Fab 2)，主要生产48层堆叠的3D NAND闪存芯片。该厂是在原来的Fab2厂址上推倒重建，总投资超过240亿元人民币。东芝成为日本内存行业发展四十年来，硕果仅存的企业。

　　未完待续